RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
70
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
70
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
2519
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link