Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB против Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Средняя оценка

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 75

Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 7.6

Среднее значение в тестах

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 12.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 75
Скорость чтения, Гб/сек

12.2 15.6
Скорость записи, Гб/сек

8.2 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2128 1717

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM