Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 22.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,036.1 18.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 75

Около -213% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,986.4 22.7
Скорость записи, Гб/сек

2,036.1 18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

714 4202

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905625-029.A00G 8GB

Kingston 9905625-029.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM