RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2346
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link