RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
75
Около -226% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3260
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link