RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2427
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link