Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 49

Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.2 10.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 49
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 10.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2125 2504

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-481.A00LF 16GB

Kingston 9965516-481.A00LF 16GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM