RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сравнить
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB против Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
374
Около -1069% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
0.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
1.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
374
32
Скорость чтения, Гб/сек
0.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
269
2952
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link