RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3114
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link