RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3305
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link