RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
71
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
71
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1540
1650
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-4GBSQ 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link