RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2511
3116
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link