Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 75
    Около -142% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    21.4 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 1,672.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 4200
    Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    1,943.5 left arrow 21.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,672.1 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    301 left arrow 3809
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения