RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2481
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link