RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
75
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
26
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3756
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link