RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3562
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link