RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
5.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1432
2416
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link