RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
61
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
61
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2028
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link