RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3384
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link