RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
40
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2288
2782
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link