RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3106
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link