RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3177
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link