RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
83
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
83
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1752
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link