RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2481
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link