RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
72
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
72
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1631
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link