RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3167
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLE8G3D1869DE1TX0. 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link