RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3649
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link