RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2320
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link