RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
74
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1849
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link