RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
92
Около -207% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1254
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link