RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
92
Около -411% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3575
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link