Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 92

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.3 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.7 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 56
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 9.3
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2200

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

модули RAM