RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2104
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link