RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
71
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
71
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
1650
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link