Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.4

Среднее значение в тестах

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 54

Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.9 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 18
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 19.4
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 3063

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

модули RAM