RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
54
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link