Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB против PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Средняя оценка

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 69

Около 32% меньшая задержка

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6.3 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

4.8 1,779.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 4200

Около 2.52 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR3
Задержка в PassMark, нс

47 69
Скорость чтения, Гб/сек

3,448.1 6.3
Скорость записи, Гб/сек

1,779.3 4.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 10600

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

298 1148

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM