RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
81
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
81
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
1651
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link