RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3379
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link