RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
12.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2443
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link