Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Kingston KCDT82-MIE 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Причины выбрать
Kingston KCDT82-MIE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 42

Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 38
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 17.0
Скорость записи, Гб/сек

6.0 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 2302

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

модули RAM