RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2256
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link