RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2256
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link