RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
71
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2447
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link