Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 66
    Около 47% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 1912
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения