RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
35
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3814
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link