RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2434
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link