RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2035
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link