RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3084
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link