RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2711
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link