RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
97
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
97
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1270
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link